“笨小孩”王守武：制出中国半导体的一系列第一

获博士学位前，1948年5月，王守武与同窗三载的葛修怀女士结为伉俪。婚后，中国留学生便常来王家相聚，当时在普渡留学的邓稼先便是王守武家的常客之一。总部设在芝加哥的中国留美科学工作者协会在普渡设立了分会，邓稼先是普渡分会的干事之一，王守武也因此参加了留美科协的活动。

新中国成立后，王守武夫妇决心回国参加建设。当时，印度驻美国外交机构受新中国政府的委托代办中美间的民间事宜。1950年，王守武一家通过印度大使馆办理了难民证，乘船经香港回国。

半导体“国家队”的领头雁

王守武回国前并未联系国内的工作单位，“1950年回国的时候，我没有什么打算，只是觉得国内刚解放，想为国家搞点建设，作点贡献。我原来是学工程力学的，又改学物理，我觉得回来搞建设，干什么都可以，什么都能干，所以我没有跟国家联系，直接回来了。”王守武回忆说，“当时只想为祖国作点贡献，哪里需要就到哪里去。中科院让我去，我就去了。”

回国初期，王守武在中科院应用物理研究所工作，他先后完成了西藏地区生活用太阳灶设计，志愿军夜间行车防空袭车灯设计，还和同事一起安装调试了中国第一台电子显微镜，后组建了应用物理所电学组。

王守武开始接触半导体是缘于一个偶然的机会。应用物理所的一个仪表坏了，给他修理，拆开后发现，里面的氧化亚铜整流器坏了。经过查阅文献，王守武搞清楚了氧化亚铜整流器的工作原理、氧化亚铜的实验室制备方法，随后他不仅修好了仪器，还开始尝试自己动手制作这种整流器。

上世纪50年代初，王守武领导应用物理所电学组开展半导体研究。他们从制作研究仪器设备开始，包括动力设备、材料制作设备和分析检测仪器。他们绕制了一个烧氧化铜的电炉，设计制作了电子管温控器，对多种半导体材料和器件的一些基本性质进行了初步测量。同时王守武也在注视着国际上半导体科学的新发展。他很快意识到半导体研究的重要性，尤其晶体管发明带来的信息技术变化。电学组在1956年的工作计划中指出：“半导体放大器的进一步发展将全面地革新电子学设备的面貌，在国民经济上的意义极为重大。”

1956年，在周总理主持下，我国制定《1956～1967年国家十二年科学技术发展远景规划》，王守武是远景规划中半导体科学技术发展规划制定小组副组长，组长是应用物理所所长施汝为，另一位副组长是北京大学教授黄昆。“十二年远景规划”把发展我国的半导体科学技术列为四项紧急措施之一。得益于我国物理学家对半导体科学技术的重要性的远见卓识和国家科学规划的政策保障，我国的半导体事业快速建立，与当时世界先进水平的差距不大。

当时北京大学接受了联合五校（北京大学、复旦大学、东北人民大学、厦门大学和南京大学）师生, 共同培养半导体专业人才的任务。中科院应用物理所电学组扩建为半导体研究室，成为我国最早的半导体研究机构。王守武任研究室主任，还兼任其半导体材料和物理大组组长。应用物理研究所的任务是组织全国有关科研院所及大专院校的科技人员（以中科院应用物理所和二机部十三研究所为主体），集中到北京东皇城根应用物理研究所, 进行半导体设备、半导体材料、半导体器件和半导体测试的科研攻关。王守武和十三研究所的武尔桢是攻关总负责人,他从半导体物理、器件理论上全面指导并亲自参加、指导具体实验工作, 如锗单晶炉及单晶研制、物理测试, 器件物理分析等。