DRAM价格再创新高！科创芯片设计ETF永赢（589420）聚焦存储+国产算力

11月10日，科创芯片设计延续反弹态势，A股光芯片、MCU芯片、ASIC芯片表现亮眼。隔夜美股科技大幅反弹，纳斯达克指数上涨2.74%，费城半导体指数上涨6.85%（数据来源：Wind）。

消息面上，存储芯片市场的涨价行情延续，DRAM价格再创新高。根据集邦咨询旗下DRAMeXchange统计，10月通用型DRAM产品DDR4 8Gb（1Gx8）的平均合约价格达到27.5美元，较9月的26美元上涨5.77%。对比2016年6月开始追踪统计时的2.9美元，累计涨幅已经达到约9.5倍。该机构还预计，2026年第四季度PC DRAM合约价格将环比上涨13%至18%。这意味着，即便PC终端需求并不强劲，DRAM价格仍然可能继续上涨。

科创芯片设计ETF永赢（589420）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数算力含量48.47%、存储芯片含量27.01%、GPU含量28.07%。截至2026年11月6日，指数前十大成分股权重合计占比近60%，前十大权重股分别包括澜起科技、海光信息、寒武纪、睿创微纳、佰维存储、芯原股份、晶晨股份、思特威、普冉股份、翱捷科技，涵盖国产存储芯片、GPU、算力龙头（数据来源：Wind，个股仅作指数前十大权重股举例，不构成投资建议）。

注：上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）于2024年7月26日上市，存储与算力含量数据来自Wind，截至2026年11月6日，计算方式为上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）指数成分股占对应行业指数/热门概念指数含量加权占比。对比的指数为算力（399363.SZ）、存储芯片（980138.CNI）、GPU（8841701.WI）。

基金有风险，投资需谨慎。上述产品风险等级：中高风险（R4）。观点仅供参考，不构成投资建议。

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