SK海力士发布MARS内存加速架构与HBF高带宽闪存技术，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数跌超1%，近30日累计净流入超2亿元

盘面上，两市震荡下行，芯片设计概念下跌。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中跌1.1%，成交额达1.45亿元，为同标的第一；换手率达7.62%。成分股中，芯原股份、峰岹科技、康希通信等多股跟跌。

科创芯片设计ETF天弘（589070）最近30个交易日累计获资金净流入2.46亿元。截至2026年10月13日，该基金最新规模为19.14亿元，为同标的第一。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数今年以来涨幅达8.37%，其行业配置主要包括半导体（99.18%）、软件开发（0.82%）等，前五大成分股为澜起科技、海光信息、寒武纪、佰维存储、芯原股份。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。

近一年数据显示，科创芯片设计指数PE-TTM为102.46倍，当前估值低于近一年100%的时间，已具备显著估值性价比。

消息面上，据媒体报道，SK海力士在2026年OCP全球峰会上发布MARS内存加速架构与HBF高带宽闪存技术，旨在破解AI训练与推理的内存瓶颈。其中，MARS架构可使多轮推理的首次标记时间提升3至5倍。同时，HBF技术带宽约为HBM的一半，但容量可达其14倍，为存储架构提供了新的平衡方案。

中金公司认为，芯片设计是地缘经济中的关键战略产业，需从“追赶式创新”转向“引领式创新”，通过资本市场和中小企业新体制培育可持续增长。科技金融能补齐中国在金融维度的短板，为芯片长期研发提供稳定资本支持，降低对美元体系的依赖。同时，应注重需求侧发力，通过扩大内需证明芯片设计的商业可行性，增强国家资源控制力。

风险提示：文中提及的排名数据均基于公开市场数据测算，具体依据如下：成交额排名：截至2026年10月14日，在对标科创芯片设计指数的ETF产品中，科创芯片设计ETF天弘（589070）成交额排名同标的第一；规模排名：截至2026年10月13日，在全市场对标科创芯片设计指数的ETF产品中，科创芯片设计ETF天弘（589070）最新规模排名同标的第一。成分股仅为客观展示，不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议，市场有风险，投资需谨慎，指数基金存在跟踪误差，请投资人独立判断和决策。数据来源：Wind，数据截至2026年10月14日。

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