DDR4内存三个月涨价24%，科创半导体ETF华夏（588170）近10日“吸金”超40亿元

截至2026年10月13日10:36，A股三大指数集体下跌，上证指数跌1.08%，深证成指跌2.03%，创业板指跌2.52%。

科创芯片板块震荡回调，科创半导体ETF华夏（588170）盘中震荡走低，成交额27.86亿元，稳居同类第一，成分股方面涨跌互现，拓荆科技领涨1.44%，强一股份上涨1.11%；微导纳米领跌11.37%，神工股份下跌5.28%，华海诚科下跌4.73%，晶升股份下跌4.70%，龙图光罩下跌4.64%。

跟踪精度方面，截至2026年10月12日，科创半导体ETF华夏（588170.SH）近3个月跟踪误差为0.012%，在同类产品中跟踪精度领先。

资金流入方面，截至2026年10月12日，科创半导体ETF华夏（588170.SH）近10个交易日内，有6个交易日获资金净流入，合计“吸金”40.42亿元。

据巴克莱最新报告，10月份DDR5内存现货价格环比上涨8%，三个月内上涨20%；上一代的DDR4则环比上涨4%，但三个月内涨幅达到24%。

科创半导体ETF华夏（588170.SH）：及其联接基金（A类：024417；C类：024418），跟踪指数为上证科创板半导体材料设备指数，其中存储芯片含量超80%，长鑫存储概念含量55%，先进封装含量超67%，聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

数据来源：Wind，截至2026年10月12日。上证科创板半导体材料设备主题指数表现：指数近5年（2021-2025）完整会计年度业绩为：-5.14%、-25.65%、14.99%、-0.13%、58.42%；指数历史业绩不预示基金产品未来表现。基金有风险，投资须谨慎。提及个股仅用于行业事件分析，不构成任何个股推荐或投资建议。ETF为场内交易型指数基金，二级市场价格存在折溢价与流动性风险，基金表现与跟踪指数可能存在跟踪误差，过往业绩不代表未来收益。

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