隔夜美股半导体板块强势反弹！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数出现深V走势，早盘一度大跌超4%，现大涨超4%

盘面上，两市探底回升，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨4.25%，成交额达1.14亿元；换手率达5.82%。成分股中，睿创微纳、杰华特、格科微、东芯股份、龙迅股份涨超5%，澜起科技、概伦电子、恒玄科技等多股跟涨。

科创芯片设计ETF天弘（589070）最近30个交易日累计获资金净流入20.99亿元。截至2026年7月20日，该基金最新规模为19.51亿元，为同标的全市场第一。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪科创芯片设计指数，该指数近一年涨幅达83.72%，其行业配置主要包括半导体（95.96%）、军工电子Ⅱ（3.37%）、软件开发（0.67%）等，前五大成分股为佰维存储、海光信息、澜起科技、芯原股份、寒武纪。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。

消息面上，据中国基金报，隔夜美股半导体板块强势反弹，费城半导体指数大涨超2%，美光科技涨超4%，英特尔与AMD均涨超3%。

国金证券指出，2026年Q3海外算力将迎来加速期，英伟达、谷歌等厂商的专用芯片（ASIC）进入交付窗口，预计2028年ASIC出货量将超越GPU，这意味芯片设计需从通用转向面向特定负载的体系化优化，以匹配这一趋势。

风险提示：本文观点不构成任何投资建议，请投资人独立判断和决策。指数基金存在跟踪误差。

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