1/10 TLC延迟 东芝宣布3D NAND新变种XL闪存
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原标题：1/10 TLC延迟 东芝宣布3D NAND新变种XL闪存
在近日的闪存峰会上，东芝宣布了一种3D NAND的全新变体——XL闪存。和东芝的96层BiCS4 3D NAND类似，XL闪存使用较短的位线（bit lines）和字线（word lines）来构建闪存芯片，东芝称XL闪存在延迟方面仅有TLC NAND的十分之一，可以提供更好的随机读取，尤其是在低队列深度上。
据了解，早期内XL闪存将使用SLC，未来可能会有MLC，并且XL闪存将用于企业和数据中心。XL闪存看起来和三星的Z-SSD非常相似，两者都试图将现有的NAND转换为可以和诸如英特尔的3D XPoint之类的非易失性存储器竞争的产品。
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